金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司取得一项名为“一种提高耗尽层的超结节VDMOS器件”的专利，授权公告号CN222776519U，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本实用新型涉及VDMOS器件技术领域，且公开了一种提高耗尽层的超结节VDMOS器件，包括高掺杂N+衬底和二氧化硅氧化绝缘层，所述高掺杂N+衬底的上表面外延生长一层第一低掺杂N‑外延层，所述第一低掺杂N‑外延层的内部两侧通过离子注入形成第一金属导电柱，所述第一低掺杂N‑外延层的上表面通过离子注入有第二低掺杂N‑外延层，且所述第二低掺杂N‑外延层的内部刻蚀出深槽，所述深槽的内部进行外延生长第二金属导电柱；本实用新型中在第一低掺杂N‑外延层中引入第一金属导电柱，而在第二低掺杂N‑外延层中引入第二金属导电柱，第二金属导电柱的长度大于第一金属导电柱，能够缓解金属栅极和金属漏极之间耗尽层的纵向展宽，利于缓解电流，电压过冲。

天眼查资料显示，北京清芯微储能科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京清芯微储能科技有限公司专利信息33条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自：金融界